[发明专利]成膜装置和成膜方法有效
申请号: | 200910169420.1 | 申请日: | 2009-08-31 |
公开(公告)号: | CN101660142A | 公开(公告)日: | 2010-03-03 |
发明(设计)人: | 加藤寿;本间学 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;H01L21/00;H01L21/316 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种成膜装置和成膜方法,该成膜装置包括:设置在真空容器内,具有用于载置基板而设置的基板载置区域的旋转台;用于供给第1反应气体的第1反应气体供给部件;用于供给第2反应气体的第2反应气体供给部件;用于分离第1处理区域和第2处理区域的气氛气体而沿着周向位于第1处理区域和第2处理区域之间的分离区域;供给扩散到上述分离区域的两侧的分离气体的分离气体供给部件;对供给到上述分离气体供给部件的分离气体进行加热的加热部;用于排出上述第1反应气体、上述第2反应气体和上述分离气体的排气口;上述第1反应气体、上述第2反应气体和上述分离气体被供给到上述旋转台时,使上述旋转台旋转的驱动部。 | ||
搜索关键词: | 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种成膜装置,通过在真空容器内将互相反应的至少两种反应气体依次供给到基板表面上,并进行该供给循环而层叠多层反应生成物的层来形成薄膜,该成膜装置包括:旋转台,设置在真空容器内,具有为了载置基板而设置的基板载置区域;第1反应气体供给部件,构成为朝着上述旋转台的基板载置区域侧的面供给第1反应气体;第2反应气体供给部件,构成为沿着上述旋转台的周向离开上述第1反应气体供给部件地配置,用于朝着上述旋转台的基板载置区域侧的面供给第2反应气体;分离区域,用于分离供给第1反应气体的第1处理区域和供给第2反应气体的第2处理区域的气氛气体,该分离区域在上述周向上位于上述第1处理区域和上述第2处理区域之间;分离气体供给部件,供给扩散到上述分离区域的两侧的第1分离气体;第1加热部,对供给到上述分离气体供给部件的第1分离气体进行加热;排气口,用于排出供给到上述旋转台的上述第1反应气体、上述第2反应气体和上述第1分离气体;驱动部,为了在上述基板上层叠薄膜,将上述第1反应气体、上述第2反应气体和上述第1分离气体供给到上述旋转台时,使上述旋转台相对于上述第1处理区域、上述第2处理区域和上述分离区域沿着上述周向进行相对旋转。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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