[发明专利]成膜方法和成膜装置以及永磁铁和永磁铁的制造方法有效

专利信息
申请号: 200910170391.0 申请日: 2006-03-14
公开(公告)号: CN101660126A 公开(公告)日: 2010-03-03
发明(设计)人: 永田浩;新垣良憲 申请(专利权)人: 株式会社爱发科
主分类号: C23C14/24 分类号: C23C14/24;C23C14/56;H01F7/02;H01F41/02
代理公司: 北京英特普罗知识产权代理有限公司 代理人: 齐永红
地址: 日本神奈川*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及成膜方法和成膜装置以及永磁铁和永磁铁的制造方法,提供一种真空处理装置,其具有:可真空排气的处理室,加热所述处理室内的加热手段,以及在所述处理室内将散块体蒸发材料和被处理物间隔配置并保持的保持手段;保持所述被处理物的保持手段由下述部件构成,其允许因加热所述处理室内而蒸发的蒸发材料通过,并可并列设置多个所述被处理物。所述保持手段的构成使所述金属蒸发材料和被处理物在上下方向上间隔配置。所述保持手段由不与因加热所述处理室内而蒸发的材料发生反应的材料构成。
搜索关键词: 方法 装置 以及 永磁 制造
【主权项】:
1.一种真空处理装置,其特征在于,具有:可真空排气的处理室,加热所述处理室内的加热手段,以及在所述处理室内将散块体蒸发材料和被处理物间隔配置并保持的保持手段;保持所述被处理物的保持手段由下述部件构成,其允许因加热所述处理室内而蒸发的蒸发材料通过,并可并列设置多个所述被处理物。
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