[发明专利]用于写同步校正的时移位有效
| 申请号： | 200910170413.3 | 申请日： | 2009-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN101656080A | 公开（公告）日： | 2010-02-24 |
| 发明（设计）人： | S·-F·李;A·Y·多宾;D·M·顿;D·S·库 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/00 | 分类号： | G11B5/00;G11B5/09;G11B5/012;G11B5/58 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 刘 佳;钱静芳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了用于对于磁存储介质及其对应的可写磁位或点校正磁存储设备的写同步的系统和方法。具体而言，这些系统和方法涉及使用时移原理来校准磁存储设备以校正读写器定时的缓慢漂移。可以理解，时移技术能够以各种方式应用。例如，介质上的非常点能够以时移方式定位。在另一示例中，可时移对点的写入。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 同步 校正 移位 | ||
【主权项】：
1.一种磁存储介质，包括：具有包括多个数据阵列的记录层的衬底；以及所述数据阵列中的一个数据阵列上的多个点，所述点在多个分组中提供，所述点分组沿所述一个数据阵列延伸，每一个分组的点具有第一间隔而所述点分组具有第二间隔，所述第一间隔和所述第二间隔是不同的，所述分组的点和所述点分组之间的间隔差别使得能够校正对于所述一个数据阵列的写同步。
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