[发明专利]提高低温下金属氧化物晶体管耐压强度的方法和电路装置无效
| 申请号： | 200910170780.3 | 申请日： | 2009-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN101674699A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 约阿希姆·米尔施勒格尔 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆有限公司 |
| 主分类号： | H05B41/282 | 分类号： | H05B41/282;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王 萍;陈 炜 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于提高在低温下电子电路装置的耐压强度的方法，其中该电路装置具有至少一个金属氧化物晶体管，并且在施加处于金属氧化物晶体管的击穿电压附近的电压之前，该金属氧化物晶体管通过适当的措施被加热到预先确定的温度。本发明同样涉及一种具有提高的在低温下的耐压强度的电路装置，其中该电路装置具有至少一个金属氧化物晶体管，并且在将处于金属氧化物晶体管的击穿电压附近的电压施加到金属氧化物晶体管上之前，加热所述至少一个金属氧化物晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 低温 金属 氧化物 晶体管 耐压 强度 方法 电路 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于提高在低温下电子电路装置的耐压强度的方法，其中该电路装置具有至少一个金属氧化物晶体管，其特征在于，在施加处于所述金属氧化物晶体管的击穿电压附近的电压之前，将所述金属氧化物晶体管加热。
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