[发明专利]供给功率调节器和半导体制造装置有效
| 申请号： | 200910171057.7 | 申请日： | 2006-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN101902131A | 公开（公告）日： | 2010-12-01 |
| 发明（设计）人： | 石津秀雄;铃木雅行 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气半导体技术服务;株式会社三幸 |
| 主分类号： | H02M5/293 | 分类号： | H02M5/293;H05B3/00;H01L21/00;G05F1/45 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在将装填了多个衬底的衬底保持件送入反应炉内进行热处理的半导体制造装置中，具有设置在上述反应炉周围的加热器和调节对上述加热器的供给功率的供给功率调节器，上述供给功率调节器由将交流电源的交流电压变换为与控制信号的频率对应的交流功率并供给上述加热器的功率用IGBT变换器、和将因该IGBT变换器的切换动作而产生的反电动势再生并返回交流电源的再生用IGBT变换器构成。 | ||
| 搜索关键词： | 供给 功率 调节器 半导体 制造 装置 | ||
【主权项】：
一种供给功率调节器，将交流电源的交流电压转换为与控制信号的频率相应的交流功率来调整对负载的供给功率，其特征在于，包括：功率用IGBT变换器，其上下两级串联在一起且由上级的IGBT变换器和下级的IGBT变换器构成；和功率用整流电路，将上述交流电压整流成正的半波和负的半波，并根据极性将其分配给上述上级的功率用IGBT变换器和上述下级的功率用IGBT变换器，在上述交流电压为正的半波期间，上述上级的IGBT变换器基于上述控制信号对上述正的半波进行转换；在上述交流电压为负的半波期间，上述上级的IGBT变换器被设定为关闭状态，在上述交流电压为正的半波期间，上述下级的IGBT变换器被设定为关闭状态；在上述交流电压为负的半波期间，上述下级的IGBT变换器基于上述控制信号对上述负的半波进行转换。
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