[发明专利]电荷平衡器件的结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体功率器件，该半导体功率器件设置在半导体衬底上且该半导体衬底包括若干深沟槽。该深沟槽由一外延层填充，因此形成一顶部外延层，其覆盖在深沟槽的顶部表面上方及覆盖在半导体衬底的上方。该半导体功率器件还包括若干设置在顶部外延层中的晶体管单元，从而半导体功率器件的器件性能取决于深沟槽的深度，而并非取决于顶部外延层的厚度。每一个晶体管单元包括一沟槽DMOS晶体管单元，该沟槽DMOS晶体管单元包括沟槽栅极，其开设在顶部外延层中，并填充有栅极介电材料。

主权项

1.一种半导体功率器件，包括：一半导体衬底，该衬底包括若干深沟槽；一外延层，该外延层填充至所述的深沟槽中，该外延层还包含一同时生成的顶部外延层，该顶部外延层覆盖在所述深沟槽的顶部表面上方和半导体衬底上；其中，所述的外延层和半导体衬底具有相反的导电类型；以及若干沟槽MOSFET单元，其设置于所述的顶部外延层中，该顶部外延层作为本体区域，而半导体衬底作为漏极区域；通过深沟槽中的外延层与横向邻近深沟槽的半导体衬底区域之间的电荷平衡，达到超级结点效应。