[发明专利]一种硫属材料型存储装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种硫属材料型存储装置及其制造方法，将利用掺杂氧化硅的硫属材料予以说明。形成具有接触表面的第一电极；形成有一部分与第一电极的接触表面接触的多结晶状态的相变存储器材料主体；以及形成与相变存储器材料主体接触的第二电极。上述工艺包括熔解及冷却相变存储器材料主体的主动区内的相变存储器材料一次或多次，但不干扰主动区外部的多结晶状态。结果主动区的氧化硅网格具有至少一个硫属材料的区域。并且，主动区外部的多结晶状态的相变材料是小晶粒尺寸，因而获得更均匀的结构。

主权项

一种存储装置的制造方法，其特征在于，包括：形成第一电极及第二电极；在所述第一电极与所述第二电极之间形成主体，所述主体由相变存储器材料形成，所述相变存储器材料包括掺杂介电质材料的硫属材料；以及所述主体在所述第一电极与所述第二电极之间具有主动区，并且具有在所述主动区外且无所述介电质材料的网格的区域，所述主动区包括具有至少一个所述硫属材料的区域的所述介电质材料的所述网格。