[发明专利]相变存储装置无效
| 申请号： | 200910171551.3 | 申请日： | 2009-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN101887747A | 公开（公告）日： | 2010-11-17 |
| 发明（设计）人： | 朴京旭 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 杨林森;康建峰 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种相变存储装置。相变存储装置包括相变存储单元、感测放大器及电压选择部件。感测放大器配置成差动放大通过存储单元的电流及比较电压。电压选择部件配置成当执行正常读取功能时提供参考电压作为比较电压，且当执行验证读取功能时，根据数据来选择性地提供第一电压电平或是第二电压电平作为比较电压。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种相变存储装置，其包括存储单元而使得所述相变存储装置被配置成执行所述存储单元内的写入验证功能，其中所述相变存储装置配置成在所述存储单元中写入第一状态电平数据或第二状态电平数据，使得当写入第一状态电平数据时，所述相变存储装置配置成以第一电压电平执行验证读取功能，且当写入第二状态电平数据时，所述相变存储装置配置成以第二电压电平执行验证读取功能。
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