[发明专利]具有晶片层次的巨透镜的影像感测器无效
| 申请号： | 200910171678.5 | 申请日： | 2009-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN102013430A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 张宇轩 | 申请（专利权）人： | 英属盖曼群岛商恒景科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 英属盖曼群岛大盖曼岛贺*** | 国省代码： | 英国;GB |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是有关于一种具有晶片层次的巨透镜的影像感测器，至少包含半导体基底、堆叠层及晶片层次的巨透镜(macrolens)。其中，半导体基底内具有多个光检测器。堆叠层位于半导体基底上方，其内形成有多个金属层。晶片层次的巨透镜形成于堆叠层上方，用以聚焦入射光线，使得整个像素阵列得以有效且简便地达到一致的光均匀度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 晶片 层次 透镜 影像 感测器 | ||
【主权项】：
一种具有晶片层次的巨透镜的影像感测器，其特征在于其包含：一半导体基底，其内具有多个光检测器；一堆叠层，位于该半导体基底上方，该堆叠层内形成有多个金属层；以及一晶片层次的巨透镜，形成于该堆叠层上方。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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