[发明专利]晶体取向陶瓷的制造方法无效
| 申请号： | 200910171905.4 | 申请日： | 2009-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN101684045A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 小泉贵昭;清水秀树 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/622 | 分类号： | C04B35/622;H01L41/24 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 钟 晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种可以进一步提高特性的晶体取向陶瓷的制造方法。含本发明的晶体取向陶瓷的压电/电致伸缩体(30)的制造方法包括：制造大致为立方体形状的仿立方体形状粒子(31)的粒子制造工序；在溶剂中分散制作的仿立方体形状粒子(31)的分散工序；在基体(12)上直接或间接地形成在规定的面方向上使分散的仿立方体形状粒子(31)排列的种子部(32)和由调整到希望组成的基质粒子(33)所形成的基质部(34)的粒子部形成工序；烧成在基体(12)上形成的种子部(32)和基质部(34)的烧成工序。能够使含在基质部(34)中的基质粒子(33)的晶体方位模仿种子部(32)中含有的在规定的面方向上排列的仿立方体形状粒子(31)的晶体方位。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 取向 陶瓷 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体取向陶瓷的制造方法，其特征在于，包括：粒子制造工序，即制造大致为立方体形状粒子的仿立方体形状粒子；分散工序，即在溶剂中分散所述制作的仿立方体形状粒子；粒子部形成工序，即在规定的基体上直接或间接地形成种子部和基质部，所述种子部为在规定的面方向上排列所述分散的仿立方体形状粒子而形成，所述基质部为由调整到希望的组成的基质粒子而形成；烧成工序，即通过对在所述基体上形成的种子部和基质部进行烧成，使含在该基质部中的基质粒子的晶体方位模仿该种子部中含有的在所述规定的面方向上排列的仿立方体形状粒子的晶体方位。
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