[发明专利]成膜装置、基板处理装置、成膜方法

摘要

本发明提供一种成膜装置、基板处理装置、成膜方法。该成膜装置是在真空容器(1)内供给第1和第2反应气体来形成薄膜的成膜装置，包括：旋转台；从旋转台的周缘朝向旋转中心设置的第1反应气体供给部和第2反应气体供给部；设于第1反应气体供给部和第2反应气体供给部之间的第1分离气体供给部；包括第1反应气体供给部并具有第1高度的第1空间；包括第2反应气体供给部并具有第2高度的第2空间；包括第1分离气体供给部并具有比第1高度和第2高度低的高度的第3空间；检测旋转台的旋转位置的位置检测部件；设于旋转台的周缘、被位置检测部件检测的被检测部。

主权项

1.一种成膜装置，其在真空容器内将包括第1反应气体和第2反应气体的至少两种原料气体按顺序供给并且进行上述至少两种上述原料气体按顺序供给的供给循环，从而形成薄膜，其特征在于，包括：旋转台，能旋转地设于上述真空容器内，具有载置基板的基板载置部；第1反应气体供给部和第2反应气体供给部，为了供给上述第1反应气体和上述第2反应气体，分别从上述旋转台的周缘的互相不同的位置朝向旋转中心设置；第1分离气体供给部，为了供给分离上述第1反应气体和上述第2反应气体的第1分离气体，从上述第1反应气体供给部和上述第2反应气体供给部之间的上述旋转台的周缘位置朝向旋转中心设置；第1下表面区域，其是包括上述第1反应气体供给部的上述真空容器的顶板的下表面，设于距上述旋转台的距离为第1高度的位置；第1空间，其形成在上述第1下表面区域和上述旋转台之间；第2下表面区域，其是包括上述第2反应气体供给部的上述顶板的下表面，设于距上述旋转台的距离为第2高度的离开上述第1下表面区域的位置；第2空间，其形成在上述第2下表面区域和上述旋转台之间；第3下表面区域，其是包括上述第1分离气体供给部并沿着上述旋转台的旋转方向位于上述第1分离气体供给部的两侧的上述顶板的下表面，设于距上述旋转台低于上述第1高度和上述第2高度的第3高度的位置；狭窄的第3空间，其形成在上述第3下表面区域和上述旋转台之间，具有供从上述第1分离气体供给部供给来的上述第1分离气体在上述第1空间和上述第2空间中流动的上述第3高度；位置检测部件，用于检测上述旋转台的旋转位置；被检测部，其设于上述旋转台的周缘，被上述位置检测部件检测；中心部区域，其是上述顶板的下表面，设有第2分离气体供给部，该第2分离气体供给部用于将分离上述第1反应气体和上述第2反应气体的第2分离气体供给到上述旋转台的旋转中心的上述基板载置部侧；排出口，用于将上述第1反应气体和上述第2反应气体与喷出到上述第3空间的两侧的上述第1分离气体和自上述中心部区域喷出的上述第2分离气体一起排出。