[发明专利]成膜装置、基板处理装置及成膜方法

摘要

本发明提供一种成膜装置、基板处理装置及成膜方法。在真空容器内供给第1和第2反应气体来形成薄膜的成膜装置具有旋转台、用于对真空容器进行耐腐蚀保护的保护顶板、从旋转台的周缘朝向旋转中心设置的第1反应气体供给部和第2反应气体供给部以及在第1反应气体供给部和第2反应气体供给部之间设置的第1分离气体供给部。在成膜装置中形成包括第1反应气体供给部并具有第1高度的第1空间、包括第2反应气体供给部并具有第2高度的第2空间以及包括第1分离气体供给部并被设置成低于第1和第2高度的第3空间。成膜装置还具有为了对真空容器进行耐腐蚀保护而与保护顶板一起围绕旋转台、第1、第2和第3空间的真空容器保护部。

主权项

1.一种成膜装置，其在真空容器内按顺序供给包括第1反应气体和第2反应气体的至少两种原料气体并且通过执行按顺序供给上述至少两种上述原料气体的供给循环来形成薄膜，该成膜装置包括：旋转台，其能够旋转地被设置在上述真空容器内，具有用于载置基板的基板载置部；保护顶板，其为了保护上述真空容器免受上述第1反应气体和上述第2反应气体的腐蚀，被设置成与上述旋转台的上表面相面对；第1反应气体供给部和第2反应气体供给部，该第1反应气体供给部和第2反应气体供给部为了供给上述第1反应气体和上述第2反应气体，分别从上述旋转台的周缘的互不相同的位置朝向旋转中心地设置；第1分离气体供给部，其为了供给将上述第1反应气体和上述第2反应气体分离的第1分离气体，从上述第1反应气体供给部和上述第2反应气体供给部之间的上述旋转台的周缘的位置朝向旋转中心地设置；上述第1反应气体供给部的上述保护顶板的下表面具有被设置在距上述旋转台的距离为第1高度的位置的第1下表面区域，在上述第1下表面区域与上述旋转台之间形成有第1空间，包括上述第2反应气体供给部的上述保护顶板的下表面具有被设置在距上述旋转台的距离为第2高度且与上述第1下表面区域分离开的位置的第2下表面区域，在上述第2下表面区域与上述旋转台之间形成有第2空间，包括上述第1分离气体供给部且沿着上述旋转台的旋转方向位于上述第1分离气体供给部两侧的上述保护顶板的下表面具有被设置在距上述旋转台低于上述第1高度和上述第2高度的第3高度的位置的第3下表面区域，在上述第3下表面区域与上述旋转台之间形成有具有上述第3高度的第3空间，该第3空间用于使从上述第1分离气体供给部供给的上述第1分离气体流向上述第1空间和上述第2空间，该成膜装置还包括真空容器保护部，为了保护真空容器免受上述第1反应气体和上述第2反应气体的腐蚀，该真空容器保护部与上述保护顶板一起被设置成围绕上述旋转台、上述第1空间、上述第2空间以及上述第3空间；上述保护顶板的下表面具有中心部区域，该中心部区域在上述旋转台的旋转中心的上述基板载置部侧设有供给用于将上述第1反应气体和上述第2反应气体分离的第2分离气体的第2分离气体供给部，该成膜装置还包括排气口，用于将上述第1反应气体和上述第2反应气体与喷出到上述第3空间的两侧的上述第1分离气体和从上述中心部区域喷出的上述第2分离气体一起排出。