[发明专利]成膜装置、基板处理装置、成膜方法有效
申请号: | 200910172119.6 | 申请日: | 2009-09-04 |
公开(公告)号: | CN101665922A | 公开(公告)日: | 2010-03-10 |
发明(设计)人: | 本间学 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;H01L21/00;H01L21/316 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供成膜装置、基板处理装置、成膜方法。成膜装置在真空容器内将相互反应的至少2种反应气体按顺序供给到基板表面上且执行该供给循环而层叠多层反应生成物的层从而形成薄膜。该成膜装置包括:旋转台、基板载置区域、第1反应气体供给部、第2反应气体供给部、分离区域、中心部区域、排气口、顶面、基板冷却部。 | ||
搜索关键词: | 装置 处理 方法 | ||
【主权项】:
1.一种成膜装置,在真空容器内将相互反应的至少2种反应气体按顺序供给到基板的表面上且执行该供给循环,从而层叠多层反应生成物的层而形成薄膜,其特征在于,该成膜装置包括:旋转台,其设置在上述真空容器内;基板载置区域,其是为了将基板载置在上述旋转台上而设置的;第1反应气体供给部及第2反应气体供给部,沿上述旋转台的旋转方向相互分离地设置,用于分别将第1反应气体及第2反应气体供给到上述旋转台的上述基板的载置区域侧的面上;分离区域,其为了分离被供给上述第1反应气体的第1处理区域和被供给第2反应气体的第2处理区域的气氛,而在上述旋转方向上位于这些处理区域之间,该分离区域包括顶面和用于供给分离气体的分离气体供给部,该顶面位于上述分离气体供给部的上述旋转方向两侧,在顶面与旋转台之间形成有用于使分离气体从该分离区域向处理区域侧流动的狭窄的空间;中心部区域,其为了分离上述第1处理区域和上述第2处理区域的气氛而位于真空容器内的中心部,且形成有用于将分离气体喷出到旋转台的基板载置面侧的喷出孔;排气口,其用于将上述反应气体与扩散到上述分离区域两侧的分离气体以及从上述中心部区域喷出的分离气体一起排出;基板冷却部,其在上述真空容器内为了冷却上述基板而对基板喷射氮气或惰性气体。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的