[发明专利]将多种反应气体依次向基板供给的成膜装置有效
申请号: | 200910172125.1 | 申请日: | 2009-09-04 |
公开(公告)号: | CN101665926A | 公开(公告)日: | 2010-03-10 |
发明(设计)人: | 加藤寿;本间学 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;H01L21/00;H01L21/316 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种将多种反应气体依次向基板供给的成膜装置,在真空容器内供给第1及第2反应气体来形成薄膜,其具有:旋转台;第1反应气体供给部及第2反应气体供给部,其分别在以旋转中心为圆心的第1角度位置和第2角度位置沿径向延伸;第1分离气体供给部,其设置在第1角度位置和第2角度位置之间的第3角度位置;第1空间,其在包含第1角度位置的区域具有第1高度;第2空间,其在包含第2角度位置的区域具有第2高度;第3空间,其在包含第3角度位置的区域具有低于第1高度和第2高度的高度;加热装置,其加热第1分离气体。 | ||
搜索关键词: | 多种 反应 气体 依次 供给 装置 | ||
【主权项】:
1.一种成膜装置,在真空容器内,将基板依次暴露于包含第1反应气体和第2反应气体的至少两种反应气体中,进行成膜,其特征在于,具有:真空容器,其具有顶板;旋转台,其以能绕旋转中心旋转的方式设置在所述真空容器内,具有用于载置基板的基板载置部;第1反应气体供给部和第2反应气体供给部,其分别在以所述旋转中心为圆心的第1角度位置和第2角度位置处沿径向延伸,以供给所述第1反应气体和所述第2反应气体;第1分离气体供给部,其在位于所述第1角度位置和所述第2角度位置之间的第3角度位置处沿径向延伸,以供给用以将所述第1反应气体和所述第2反应气体分离开的第1分离气体;所述顶板的第1下表面区域,其是包含所述第1角度位置的区域的至少一部分,距所述旋转台的高度为第1高度,从而在所述旋转台上侧形成具有所述第1高度的第1空间;所述顶板的第2下表面区域,其是包含所述第2角度位置的区域的至少一部分,距所述旋转台的高度为第2高度,从而在所述旋转台上侧形成具有所述第2高度的第2空间;所述顶板的第3下表面区域,其是包含所述第3角度位置的区域的至少一部分,距所述旋转台的高度为低于所述第1高度和所述第2高度的第3高度,从而在所述旋转台上侧形成具有所述第3高度的第3空间;加热装置,其对所述第1分离气体进行加热;第2分离气体供给部,其在包含所述旋转中心的中心部区域,供给用以将所述第1反应气体和所述第2反应气体分离开的第2分离气体;排气口,其将所述第1反应气体和第2反应气体,连同向所述第3空间两侧喷出的第1分离气体和从所述中心部区域喷出的所述第2分离气体一起排出。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的