[发明专利]一种生产P型太阳能电池用多晶硅的工艺无效

专利信息
申请号: 200910172425.X 申请日: 2009-09-30
公开(公告)号: CN101671025A 公开(公告)日: 2010-03-17
发明(设计)人: 靳瑞敏;李定珍;王玉仓;郭新峰 申请(专利权)人: 靳瑞敏
主分类号: C01B33/037 分类号: C01B33/037;C30B28/10;C30B29/06
代理公司: 南阳市智博维创专利事务所 代理人: 张天禧
地址: 473000*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明提供一种生产P型太阳能电池用多晶硅的工艺,主要特点是采用以下流程步骤:选取硅原料—硅液造渣—真空直拉—光照硅液—铸锭,对传统提取多晶硅方法加以重大改进,舍弃常温浸酸(或碱),增加光照硅液与真空直拉步骤,硅液造渣向真空直拉自动导料,与传统方法相比,具有工艺科学,流程连续,节约能源,减轻污染,设备使用寿命延长,生产安全,产品质量稳定可靠等优点。
搜索关键词: 一种 生产 太阳能电池 多晶 工艺
【主权项】:
1、一种生产P型太阳能电池用多晶硅的工艺,其特征是采用以下流程步骤:1).选取硅原料,以冶金级工业硅为原料,选取原料中金属杂质,磷、硼杂质主要杂质含量限量指标;2).硅液造渣,将原料喂入中频加热炉内熔化成硅液,向硅液中添加入造渣剂,充分搅拌均匀,静止并保温,使磷硼等非金属杂质挥发或随渣上漂或沉底,与硅分离;3).真空直拉除杂,利用直拉单晶方法,将单晶直拉炉改进,采用真空式直拉炉,将中频加热炉通过带有阀门的导管与真空式直拉炉连通,将由中频加热炉经过造渣分渣后的硅液导入真空式直拉炉加热容器内,在抽真空条件下挥发除去磷等非金属杂质;以定向籽晶为生长晶核,垂直旋转提升,拉出多晶硅过程中,使金属杂质及其它杂质留在容器残液中除去;4).光照硅液分离杂质,采用光照真空式直拉炉,即在真空式直拉炉加热容器上方布设电光源,对导入真空式直拉炉容器内的硅液在直拉多晶硅过程中同时对硅液和籽晶进行波段光照射,使难以分离的杂质变成离子状态,有助于除去;5).铸锭过程除杂,利用将提拉出的多晶硅棒融化,退火、冷却,定向凝固成型多晶硅锭后,经过检测切除杂质不合格部分。
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