[发明专利]一种沟槽MOSFET器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种沟槽MOSFET结构和制造方法。该结构中栅接触沟槽在沟槽栅中的深度小于源体接触沟槽在体区中的深度。采用本发明的沟槽MOSFET能有效阻止由于栅接触沟槽的过刻蚀引起的栅-漏之间的短接。

主权项

一种沟槽MOSFET，包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的外延层，该外延层位于衬底之上，且该外延层的多数载流子浓度低于衬底；在所述外延层中的多个沟槽，包括多个第一沟槽和至少一个第二沟槽，该第一沟槽位于有源区，用于形成有源区沟槽栅，该第二沟槽用于形成与栅金属相连的沟槽栅；第一绝缘层，衬于所述多个沟槽中；导电区域，位于靠近所述第一绝缘层的多个沟槽中；第二导电类型的体区，该体区位于所述外延层的上部分，且所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；第一导电类型的源区，位于所述体区的上部分，所述源区的多数载流子浓度高于所述外延层；第二绝缘层，该第二绝缘层覆盖在所述外延层和外延层中沟槽栅的上表面；沟槽式源体接触区，形成于源体接触沟槽中，该沟槽式源体接触区穿过所述第二绝缘层、所述源区并延伸入所述体区；沟槽式栅接触区，形成于栅接触沟槽中，该沟槽式栅接触区穿过所述第二绝缘层并延伸入所述第二沟槽中的导电区域，其中所述沟槽式栅接触区延伸入所述第二沟槽中的导电区域的深度(Cdpoly)小于所述沟槽式源体接触区延伸入所述体区中的深度(Cdsi)。