[发明专利]半导体芯片及半导体晶片有效
| 申请号： | 200910173258.0 | 申请日： | 2009-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN101685817A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 国岛浩之 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00;H01L23/528;H01L21/304 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体芯片及半导体晶片。一种半导体芯片，其包括在基板上形成的元件形成区、围绕所述元件形成区的划线区以及在半导体芯片的至少一个拐角区域中的划线区中局部提供的结构。元件形成区和划线区包括在基板上层压的多个层间介电膜。所述结构由拐角衬垫和互连拐角衬垫的通孔构成，其中，所述拐角衬垫在层压方向上垂直地夹持所述层间介电膜中的至少一个。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 晶片 | ||
【主权项】：
1.一种半导体芯片，包括：元件形成区，其形成在基板上；以及划线区，其围绕所述元件形成区，其中，所述元件形成区和所述划线区包括在所述基板上层压的多个层间介电膜；以及其中，在所述半导体芯片的至少一个拐角区域中的划线区中，局部地提供由多个拐角衬垫和互连所述拐角衬垫的通孔构成的结构，所述多个拐角衬垫在层压方向上垂直地夹持所述多个层间介电膜中的至少一个。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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