[发明专利]Ti类膜的成膜方法无效
申请号: | 200910173311.7 | 申请日: | 2009-09-02 |
公开(公告)号: | CN101671813A | 公开(公告)日: | 2010-03-17 |
发明(设计)人: | 天野文贵;善光哲;成嶋健索 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/06 | 分类号: | C23C16/06;C23C16/44 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种Ti类膜的成膜方法,其在成膜中,不产生预涂膜和喷淋头及基座的反应等不良情况,能够抑制处理膜厚的面间偏差。反复进行如下工序:在基座(2)上不存在晶片(W)的状态下,将基座(2)加热,利用含Ti的处理气体,至少在喷淋头(10)的表面形成预涂膜的工序;其后,在加热到规定温度的基座(2)上载置晶片(W),向腔室(1)内供给处理气体,在晶片(W)上成膜Ti膜的工序;在基座(2)上不存在晶片(W)的状态下,向腔室(1)内导入清洗气体,清洗腔室(1)内的工序。在预涂膜形成工序中,使基座(2)的温度成为比Ti膜成膜工序时的温度低的温度而形成低温预涂膜(71)之后,在Ti膜成膜时的温度下,形成高温预涂膜(72)。 | ||
搜索关键词: | ti 方法 | ||
【主权项】:
1.一种Ti类膜的成膜方法,使用包括收容被处理体的腔室、向所述腔室内喷出包括含Ti气体的处理气体及清洗气体的气体喷出部件、在所述腔室内载置被处理体的载置台、和加热所述载置台的加热装置的装置在被处理体的表面成膜Ti类膜,其特征在于,包括:在所述载置台之上不存在被处理体的状态下,利用所述加热装置加热所述载置台,并且从所述气体喷出部件向所述腔室内喷出所述处理气体,至少在所述气体喷出部件的表面形成预涂膜的工序;其后,在由所述加热装置加热后的状态的所述载置台上载置被处理体,向所述腔室内供给所述处理气体,对多个被处理体进行在被处理体上成膜Ti类膜的处理的工序;和在所述载置台上不存在被处理体的状态下,向所述腔室内导入清洗气体,对所述腔室内进行清洗的工序,依次反复进行上述这些工序,其中,在形成所述预涂膜的工序中,使所述载置台的温度成为比所述成膜工序时的温度低的温度而形成低温预涂膜之后,在所述成膜工序时的温度下,形成高温预涂膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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