[发明专利]在均流中增加和移除相无效

专利信息
申请号: 200910173352.6 申请日: 2009-07-20
公开(公告)号: CN101686012A 公开(公告)日: 2010-03-31
发明(设计)人: D·E·海涅曼 申请(专利权)人: 英特赛尔美国股份有限公司
主分类号: H02M3/156 分类号: H02M3/156
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 李 玲;袁 逸
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种分布式功率管理系统可以包括数字通信总线和多个POL(负载点)调节器,这多个POL调节器耦合到该通信总线并且被配置成均流配置,其中这多个POL调节器的每个POL调节器具有各自的电流输出级,各输出级耦合到公共负载并且被配置成生成各自的输出电流。每个POL调节器在均流配置中可以具有各自的相,并且每个POL调节器可以根据对应于该总线的总线通信协议在该总线上传送和接收信息。每个POL调节器可以按照该系统的要求通过顺序地控制一对栅极信号的脉冲宽度来自动地增加或移除其相,这对栅极信号被配置成分别控制POL调节器的输出级中的高侧场效应晶体管(FET)和低侧FET。
搜索关键词: 均流中 增加
【主权项】:
1.一种系统,包括:通信总线;以及耦合到所述通信总线并且配置为均流配置的多个POL(负载点)调节器,其中所述多个POL调节器中的每个POL调节器具有各自的输出级,所述输出级耦合到公共负载并且配置成生成各自的输出电流,其中每个POL调节器在所述均流配置中具有各自的相,其中每个POL调节器被配置成根据对应于所述总线的总线通信协议在所述总线上传送和接收信息;其中每个POL调节器被配置成根据所述系统的要求通过顺序地操纵一对栅极信号的脉冲宽度来自动增加和移除其相,所述栅极信号被配置成分别控制所述POL调节器的输出级中的高侧场效应晶体管(FET)和低侧FET。
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