[发明专利]用于在扩散阻挡层上的铜膜的粘合增强的材料无效
| 申请号： | 200910173396.9 | 申请日： | 2009-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN101673706A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 程汉颂;雷新建;D·P·斯彭斯;J·A·T·诺曼;D·A·罗伯茨;韩波;周成刚;吴金平 | 申请（专利权）人： | 气体产品与化学公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532;C23C16/18;C23C16/44 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 徐厚才;韦欣华 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及用于在扩散阻挡层上的铜膜的粘合增强的材料。已经使用现有技术的计算化学技术来鉴定为铜种子层到粘合增进层以及粘合增进层到阻挡层提供良好粘合的粘合增进层材料。已经鉴定了导致在各种金属表面上提供铜层的优良粘合的因素以及发生铜膜附聚的环境。已经预测数种有前景的基于铬合金的粘合增进层材料能显著地增强铜膜的粘合。多齿β-酮亚胺盐的含铬络合物已被鉴定作为含铬前体用于制造具有铬的合金。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 扩散 阻挡 粘合 增强 材料 | ||
【主权项】：
1、控制附聚并改进半导体器件的粘合的方法，包括：(1)提供包括至少一个图案化介电层和至少一个阻挡层的基底；(2)在所述至少一个阻挡层上沉积含有铬合金的粘合增进层；和(3)在所述粘合增进层上沉积金属种子层；其中所述粘合增进层和所述阻挡层之间的粘合能高于所述粘合增进层和所述金属种子层之间的粘合能。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于气体产品与化学公司，未经气体产品与化学公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910173396.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
