[发明专利]用于外延衬底的硅晶片的制造方法和外延衬底的制造方法无效
| 申请号： | 200910173463.7 | 申请日： | 2009-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN101710566A | 公开（公告）日： | 2010-05-19 |
| 发明（设计）人： | 藤井达男 | 申请（专利权）人： | 科发伦材料株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20;H01L21/324 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 郭放 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种制造用于外延衬底的硅晶片的方法，包括第一步骤，在包含不少于1E19atoms/cm3的硼原子的硅晶片上进行热氧化，由此在硅晶片的表面上形成氧化硅膜；第二步骤，剥离氧化硅膜；和第三步骤，在氢气氛中，在硅晶片上进行热处理。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 外延 衬底 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造用于外延衬底的硅晶片的方法，包括：第一步骤，在包含不少于1E19atoms/cm3的硼原子的硅晶片上执行热氧化，由此在所述硅晶片的表面上形成氧化硅膜；第二步骤，剥离所述氧化硅膜；和第三步骤，在氢气氛中，在剥离了所述氧化硅膜的所述硅晶片上执行热处理。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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