[发明专利]固态图像捕捉元件和电子信息设备无效
申请号: | 200910173487.2 | 申请日: | 2009-09-18 |
公开(公告)号: | CN101677105A | 公开(公告)日: | 2010-03-24 |
发明(设计)人: | 永井谦一 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张雪梅;王丹昕 |
地址: | 日本大阪*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及固态图像捕捉元件和电子信息设备。根据本发明的固态图像捕捉元件包括:像素阵列部分,其中将阱层设置在半导体衬底或者半导体区域上,并且将用于对来自对象的图像光实施光电转换并且捕捉其图像的多个光电转换元件以二维阵列布置在阱层中,其中将高浓度阱层设置在阱层与半导体衬底或者半导体区域之间,该高浓度阱层与阱层的导电类型相同并且具有比阱层的杂质浓度更高的杂质浓度。 | ||
搜索关键词: | 固态 图像 捕捉 元件 电子信息 设备 | ||
【主权项】:
1.一种固态图像捕捉元件,其包括像素阵列部分,其中将阱层设置在半导体衬底或者半导体区域上,并且将用于对来自对象的图像光实施光电转换并且捕捉其图像的多个光电转换元件以二维阵列布置在阱层中,其中将高浓度阱层设置在阱层与半导体衬底或者半导体区域之间,该高浓度阱层与阱层的导电类型相同并且具有比阱层的杂质浓度更高的杂质浓度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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