[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200910173523.5 | 申请日： | 2009-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN101685799A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 林思宏 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/28;H01L27/092;H01L29/49 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 姜 燕;陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置的制造方法，包含：提供一具有一第一区域及一第二区域的半导体基材；形成一高介电常数介电层于该基材上；形成一金属层于该高介电常数介电层上，该金属层具有一第一功函数；保护该第一区域中的金属层，对该第二区域中的金属层进行一包含碳及氮的去耦合等离子体处理，以及形成一第一栅极结构于该第一区域中及形成一第二栅极结构于该第二区域中。该第一栅极结构包含高介电常数介电层及未经处理的金属层。该第二栅极结构包含高介电常数介电层及经处理过的金属层。本方法提供了简单且具有经济效益的单一金属层，适用于现有的CMOS技术工艺流程，因此可轻易地与现有的制造设备及装置技术作整合。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，包括：提供具有一第一区域及一第二区域的一半导体基材；形成一高介电常数介电层于该半导体基材上；形成一金属层于该高介电常数介电层上，该金属层具有一第一功函数；保护位于该第一区域的该金属层；对该位于第二区域的该金属层进行一包含碳及氮的去耦合等离子体处理；以及于该第一区域形成一第一栅极结构及于该第二区域形成一第二栅极结构，该第一栅极结构包含该高介电常数介电层及该金属层，该第二栅极结构包含该高介电常数层及该经处理的金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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