[发明专利]制造半导体装置的方法有效
| 申请号： | 200910173527.3 | 申请日： | 2009-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN101677064A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 张庆裕 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 姜 燕;陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种制造半导体装置的方法，包括形成一第一金属层于一基底上，形成一第二层于该第一金属层上，形成一牺牲层于该第二层上，形成一图案化光致抗蚀剂层于该牺牲层上。施以一第一蚀刻工艺于该基底，通过该图案化光致抗蚀剂层作为一掩模，以图案化该牺牲层，以形成一图案化的牺牲层。施以一第二氢氧化氨-过氧化氢-水混合(APM)溶液于该基底，以图案化该第二层，以形成一图案化的第二层。施以一第三溶液于该基底，以图案化该第一金属层，以及施以一第四湿蚀刻工艺以移除该图案化的牺牲层。本发明的蚀刻时间可变得较长而不会发生剥离的问题。图案化第三层的蚀刻持续时间可降低，并且可因此而消除光致抗蚀剂玻璃的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体装置的方法，包括：形成一第一金属层于一基底上；形成一第二层于该第一金属层上；形成一牺牲层于该第二层上，形成一图案化光致抗蚀剂层于该牺牲层上；施以一第一蚀刻工艺于该基底，通过该图案化光致抗蚀剂层作为一掩模，以图案化该牺牲层，以形成一图案化的牺牲层；施以一第二氢氧化氨-过氧化氢-水混合溶液于该基底，以图案化该第二层，以形成一图案化的第二层；施以一第三溶液于该基底，以图案化该第一金属层；以及施以一第四湿蚀刻工艺以移除该图案化的牺牲层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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