[发明专利]薄膜晶体管有效
| 申请号： | 200910173699.0 | 申请日： | 2009-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN101667599A | 公开（公告）日： | 2010-03-10 |
| 发明（设计）人： | 高桥绘里香;加藤高之;宫入秀和;神保安弘 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 何欣亭;王丹昕 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管，在衬底上具有栅电极层、半导体层、设置在栅电极层和半导体层之间的栅极绝缘层、接触于半导体层的源区及漏区、接触于源区的源电极层以及接触于漏区的漏电极层，其中源区及漏区由添加有赋予一种导电型的杂质的微晶半导体层形成，在半导体层中接触于源区及漏区的区域由晶体区域形成，因为半导体层中的晶体区域不形成在背沟道区中而被分离，所以其成为一对。并且在半导体层中具有包括非晶半导体的半导体层。从而提高反交错型薄膜晶体管的电特性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：衬底上的栅电极层；所述栅电极层上的栅极绝缘层；所述栅极绝缘层上的包括非晶半导体的层；所述包括非晶半导体的层上的一对晶体区域；以及所述一对晶体区域上的接触于所述一对晶体区域的源区及漏区，所述源区及漏区包括添加有赋予一种导电型的杂质的微晶半导体层。
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