[发明专利]光学电压测量设备无效
| 申请号： | 200910174389.0 | 申请日： | 2009-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN101672868A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 高桥正雄;佐藤纯一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00;G01R15/22 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 邬少俊;王 英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了一种光学电压测量设备，其包括主电路导体(1)，绝缘地支撑主电路导体(1)并固定到接地构件(3)的电介质体(4)，掩埋在电介质体(4)中的掩埋电极(6)，以及连接到掩埋电极(6)并测量主电路导体(1)的电压的电光元件(20)，其中，将由主电路导体(1)和掩埋电极(6)之间生成的静电电容与掩埋电极(6)和接地构件(3)之间生成的静电电容之间的静电电容比所分的电压施加到电光元件(20)。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 电压 测量 设备 | ||
【主权项】：
1、一种光学电压测量设备，其特征在于包括：主电路导体；电介质体，其绝缘地支撑所述主电路导体并固定到接地构件；掩埋在所述电介质体中的掩埋电极；以及电光元件，其连接到所述掩埋电极并测量所述主电路导体的电压，其中，将通过所述主电路导体和所述掩埋电极之间生成的静电电容与所述掩埋电极和所述接地构件之间生成的静电电容之间的静电电容比所分的电压施加到所述电光元件。
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