[发明专利]采用突变金属-绝缘体转变半导体材料的二端子半导体器件无效
| 申请号： | 200910174633.3 | 申请日： | 2004-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN101673804A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 金铉卓;尹斗协;蔡秉圭;姜光镛;任龙植;金敬玉;孟成烈;金圣贤 | 申请（专利权）人： | 韩国电子通信研究院 |
| 主分类号： | H01L49/00 | 分类号： | H01L49/00;H01L51/00;H01L31/08;H01L51/42;H01L51/50 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邱 军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种使用突变MIT半导体材料层的二端子半导体器件。该二端子半导体器件包括：第一电极层，设置在该第一电极层上并具有小于2eV的能隙以及位于空穴能级的空穴的突变MIT半导体有机或者无机材料层，以及设置在该突变MIT半导体有机或无机材料层上的第二电极层。通过在第一电极层和第二电极层之间施加场，在该突变MIT半导体材料层中产生突变MIT。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 突变 金属 绝缘体 转变 半导体材料 端子 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种二端子半导体器件，包括：作为衬底的第一电极层；设置在所述第一电极上的、具有小于2eV的能隙以及位于空穴能级中的空穴、利用空穴掺杂效应的突变金属-绝缘体转变半导体有机或者无机材料层；以及设置在所述突变金属-绝缘体转变半导体有机或者无机材料层上的第二电极层，所述二端子半导体器件是开关器件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于韩国电子通信研究院，未经韩国电子通信研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910174633.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：在细胞培养物中使用铜和谷氨酸盐生产多肽
- 下一篇：加工装置
