[发明专利]形成多长度尺度薄膜的方法和组合物无效
| 申请号： | 200910174661.5 | 申请日： | 2002-10-02 |
| 公开（公告）号： | CN101694832A | 公开（公告）日： | 2010-04-14 |
| 发明（设计）人： | 安吉拉·M·贝尔彻;塞昂-伍克·李 | 申请（专利权）人： | 得克萨斯州立大学董事会 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/04;H01L51/00;C30B7/00;C30B29/58;G01N33/58 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 吴小瑛;吕俊清 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及形成多长度尺度薄膜的方法及组合物。所述方法包括(a)制备包含病毒和与病毒相结合的肽的组合物，其中所述肽选择性地与具有不同组成或晶面的晶状表面结构结合；和(b)由上述组合物制备多长度尺度薄膜。所述组合物包含病毒和与病毒相结合的肽，其中所述肽选择性地与具有不同组成或晶面的晶状表面结构结合，且所述组合物以多长度尺度薄膜的形式存在。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 多长 尺度 薄膜 方法 组合 | ||
【主权项】：
形成多长度尺度薄膜的方法，其包括：(a)制备包含病毒和与病毒相结合的肽的组合物，其中所述肽选择性地与具有不同组成或晶面的晶状表面结构结合；和(b)由上述组合物制备多长度尺度薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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