[发明专利]电容器及其形成方法有效
| 申请号： | 200910175077.1 | 申请日： | 2009-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN102034686A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 王乐 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/92 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种电容器及其形成方法。其中电容器的形成方法，包括：在半导体衬底上形成下电极；在下电极上依次形成绝缘介质层、上电极和光刻胶层，所述光刻胶层中具有通孔图形；以光刻胶层为掩膜，沿通孔图形刻蚀上电极和绝缘介质层至露出下电极，形成通孔；去除光刻胶层后，刻蚀上电极、绝缘介质层和下电极，形成电容器。本发明降低了绝缘介质层的介电常数，降低了电容值。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种电容器的形成方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上形成下电极；在下电极上依次形成绝缘介质层、上电极和光刻胶层，所述光刻胶层中具有通孔图形；以光刻胶层为掩膜，沿通孔图形刻蚀上电极和绝缘介质层至露出下电极，形成通孔；去除光刻胶层后，刻蚀上电极、绝缘介质层和下电极，形成电容器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
