[发明专利]改进的直拉硅单晶炉有效
| 申请号： | 200910175318.2 | 申请日： | 2009-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN101717991A | 公开（公告）日： | 2010-06-02 |
| 发明（设计）人： | 刘彬国;张呈沛;何京辉 | 申请（专利权）人： | 晶龙实业集团有限公司;宁晋晶峰电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 055550 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改进的直拉硅单晶炉，包括带有炉口的炉盖，炉壁，炉壁内设置有石英坩埚和石墨加热保温装置及其配套的废气流的疏导通道，疏导通道通过设置在石墨保温层上端的导气口和内部热场相连通，炉壁上设有与外部抽气系统相连的排气孔，关键在于：导气口内侧设有储离槽。这种结构设置分离了气体中的有害挥发物，达到方便设备清洗的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 直拉硅单晶炉 | ||
【主权项】：
一种改进的直拉硅单晶炉，包括：带有炉口(1)的炉盖(2)，炉壁(3)，炉壁(3)内设置有石英坩埚(5)和石墨加热保温装置(6、7、8)及其配套的废气流的疏导通道(9)，疏导通道(9)通过设置在石墨保温层(8)上端的导气口(11)和内部热场相连通，炉壁(3)上设有与外部抽气系统相连的排气孔(10)；其特征在于：上述导气口(11)内侧设有储离槽(12)。
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