[发明专利]基板处理装置和基板处理方法有效
| 申请号： | 200910175626.5 | 申请日： | 2009-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN101685772A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 宇井明生;林久贵;上夏井健;桧森慎司;山田纪和;大瀬刚;阿部淳 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供基板处理装置和基板处理方法，其能够有效地抑制电极上的基板的电压变化，抑制射向基板的离子的入射能量的变动。基板处理装置包括：将基板保持在主面上的第一电极；与第一电极相对的第二电极；向第一电极施加频率为40MHz以上的RF电压的RF电源；和叠加在RF电压上，向第一电极施加电压与时间对应地下降的脉冲电压的脉冲电压施加部。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：腔室；配置在所述腔室内，将基板保持在主面上的第一电极；与所述第一电极相对地配置在所述腔室内的第二电极；对所述第一电极施加频率为40MHz以上的RF电压的RF电源；和脉冲电压施加部，其与所述RF电压叠加地向所述第一电极施加电压与时间的经过对应地下降的脉冲电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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