[发明专利]非易失性存储装置

摘要

本发明提供了一种具有容易高度地集成的堆叠结构的非易失性存储装置以及经济地制造该非易失性存储装置的方法。所述非易失性存储装置可以包括彼此交叉的至少一个第一电极和至少一个第二电极。至少一个数据存储层可以设置在所述至少一个第一电极与所述至少一个第二电极彼此交叉的区域。所述至少一个第一电极可以包括第一导电层和第一半导体层。

主权项

1、一种非易失性存储装置，包括：至少一个第一电极，包括第一导电类型的至少一个第一半导体层和电阻率比所述至少一个第一半导体层的电阻率低的至少一个第一导电层；至少一个第二电极，包括与所述第一导电类型相反的第二导电类型的至少一个第二半导体层，并且与所述至少一个第一电极交叉；至少一个数据存储层，位于所述至少一个第一电极的所述至少一个第一半导体层与所述至少一个第二电极的所述至少一个第二半导体层彼此交叉的区域。