[发明专利]在多级单元闪存装置中使用的最低有效位页恢复方法有效
| 申请号： | 200910176282.X | 申请日： | 2009-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN101685672A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 朴景民;安成晙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 韩明星;罗延红 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种在多级单元(MLC)闪存装置中使用的最低有效位(LSB)页恢复方法。所述方法包括：设置第一至第n LSB页组(n是大于2的自然数)，所述LSB页组包括MLC闪存中所包括的LSB页中的至少两个LSB页；对第i LSB页组(i是小于n的自然数)中所包括的第一至第x LSB页(x是大于2的自然数)进行编程；针对第一至第x LSB页产生并存储第i LSB奇偶校验页；对与第一至第x LSB页中的一个LSB页对应的第一至第x MSB页进行编程；在第j MSB页(j是小于x的自然数)的编程期间，当对MLC闪存的供电中断时，使用与第i LSB页组对应的第i LSB奇偶校验页恢复与第j MSB页配对的第j LSB页。 | ||
| 搜索关键词： | 多级 单元 闪存 装置 使用 最低 有效 恢复 方法 | ||
【主权项】：
1、一种多级单元MLC闪存中使用的最低有效位LSB页恢复方法，其中，LSB页和最高有效位MSB页在配对页结构中彼此配对并且被编程或读取，所述方法包括：设置第一至第n LSB页组，所述LSB页组包括MLC闪存中所包括的LSB页中的至少两个LSB页，其中，n是大于2的自然数；对第i LSB页组中所包括的第一至第x LSB页进行编程，其中，x是大于2的自然数，i是小于n的自然数；针对第一至第x LSB页产生并存储第i LSB奇偶校验页；对与第一至第x LSB页中的一个LSB页对应的第一至第x MSB页进行编程；在第j MSB页的编程期间，当对MLC闪存的供电中断时，使用与第i LSB页组对应的第i LSB奇偶校验页恢复与第j MSB页配对的第j LSB页，其中，j是小于x的自然数。
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