[发明专利]一种太阳能电池用硅片无效
| 申请号： | 200910176612.5 | 申请日： | 2009-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN101713099A | 公开（公告）日： | 2010-05-26 |
| 发明（设计）人： | 徐岳生;刘彩池;王海云;李幼斌;王继炎;顾励生;郎益谦 | 申请（专利权）人： | 天津希力斯新能源技术研发有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300410 天津市天津空*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明把熔硅法制得的太阳能级多晶硅，经多晶铸锭或拉成单晶后，加工成硅片，与西门子法制备的硅片同时在太阳电池芯片生产工艺线流片(排出工艺差异的影响)。测得芯片参数合格的前提下，提出了一个太阳能级硅片的质量标准。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 硅片 | ||
【主权项】：
熔硅法制备太阳能级电池硅片，其特征在于所述多晶硅或单晶硅纯度达到≥5N级，硼含量达到亚ppm级，氧含量为5～8×1017cm-3，碳含量≤5×1016cm-3，多晶硅片少子寿命达2微秒；单晶硅片少子寿命达10～20微秒。
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