[发明专利]静电放电防护装置及其中的静电放电防护元件有效
申请号: | 200910176680.1 | 申请日: | 2009-09-24 |
公开(公告)号: | CN102034806A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | 苏郁迪;徐中玓 | 申请(专利权)人: | 新唐科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/60;H02H9/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 任默闻 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种静电放电防护装置及其中的静电放电防护元件。所述静电放电防护元件包括硅控整流器等效电路以及N型重掺杂区。硅控整流器等效电路寄生于静电放电防护元件中,并具有阳极和阴极,其中阳极为P型重掺杂区且用以耦接于焊垫,阴极用以耦接于低位准电压。N型重掺杂区紧邻P型重掺杂区,并呈浮置状态。根据本发明实施例揭示的技术内容,应用前述静电放电防护装置可降低静电放电防护机制启动时所需的触发电压。 | ||
搜索关键词: | 静电 放电 防护 装置 及其 中的 元件 | ||
【主权项】:
一种静电放电防护元件,其特征在于,所述静电放电防护元件包括:一硅控整流器等效电路,寄生于所述静电放电防护元件中,并具有一阳极和一阴极,其中所述阳极为一P型重掺杂区且用以耦接于一焊垫,所述阴极用以耦接于一低位准电压;以及至少一第一N型重掺杂区,紧邻所述P型重掺杂区,并呈浮置状态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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