[发明专利]制造多晶硅的装置和方法无效
| 申请号： | 200910176775.3 | 申请日： | 2009-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN101850974A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 朴斗镇 | 申请（专利权）人： | TSTI技术株式会社 |
| 主分类号： | C01B33/029 | 分类号： | C01B33/029 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造多晶硅的装置和方法，其能够通过采用激光束对硅烷气体进行热分解来沉积多晶硅颗粒，缩短制造多晶硅所需要的时间段，并且能够通过直接地沉积多晶硅颗粒并熔化多晶硅颗粒来制造铸块，而不需要使用额外的晶体种子，其中，所述装置还包括反应室；气体供应器，用于将硅烷气体供应给所述反应室；激光照射器，用于通过将激光束照射到从所述气体供应器供应的硅烷气体来对所述硅烷气体进行热分解，生成多晶硅颗粒；以及多晶硅颗粒接收器，用于接收并储存多晶硅颗粒。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 多晶 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种制造多晶硅的装置，包括：反应室；气体供应器，用于将硅烷气体供应给所述反应室；激光照射器，用于通过将激光束照射到从所述气体供应器供应的所述硅烷气体来对所述硅烷气体进行热分解，生成多晶硅颗粒；以及多晶硅颗粒接收器，用于接收和储存所述多晶硅颗粒。
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