[发明专利]CMOS差分射频信号幅度检测电路有效
申请号: | 200910177182.9 | 申请日: | 2009-09-28 |
公开(公告)号: | CN101666833A | 公开(公告)日: | 2010-03-10 |
发明(设计)人: | 王树甫 | 申请(专利权)人: | 王树甫 |
主分类号: | G01R29/00 | 分类号: | G01R29/00;G01R29/26;H03K19/0948 |
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地址: | 100043北京市石*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种CMOS差分射频信号幅度检测电路,包括由工作在弱反型偏置下的MOS晶体管M1、M2,…Mn及滤波电阻R0和电容C0组成。所述MOS晶体管M1、M2,…Mn串联相接,由所述电流源I1提供偏置,所述晶体管M1、M2,…Mn栅极或漏级分别通过所述电容C1、C2…Cn分别与所述射频信号输入正端Rfin+或所述射频信号输入负端Rfin-相连,幅度检测结果通过所述滤波电阻R0和电容C0输出。本发明中MOS晶体管工作在弱反型偏置下时的电流变化服从指数特性,比平方率特性获得更高的幅度检测增益,尤其是在微弱信号检测时,更为明显,同时所需功耗很低近于零功耗;采用多个MOS晶体管串联使得每个MOS晶体管的幅度检测输出串联相加,从而获得n倍的检测增益;同时对于射频输入每个MOS晶体管的输入阻抗是并联的,整体的输入阻抗值减小了n倍,降低了高频信号输入匹配电路Q值的要求,可以实现与射频天线直接相接;采用差分信号输入,易于芯片的集成和减小对芯片封装的要求。本发明特别适用于应用短程通信系统中作为唤醒信号检测及在RFID系统中做微弱射频信号检测。 | ||
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【主权项】:
1、CMOS差分射频信号幅度检测电路,其特征在于:所述MOS晶体管M1、M2,…Mn串联相接,由所述电流源I1提供偏置;所述MOS晶体管M1、M2,…Mn的数量为1至n个;所述MOS晶体管M1、M2,…Mn可以是N型MOS管或是P型MOS管,也可以分别是N型和P型MOS管;MOS晶体管的栅极与漏级相接,构成偏置导通状态;P型MOS管的漏级与地相连时,需要其栅极串接一电阻与漏级相接。
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