[发明专利]不对称灵敏放大器有效
| 申请号： | 200910177850.8 | 申请日： | 2009-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN101770802A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 林书玄;陈彝梓 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/06 | 分类号： | G11C7/06;G11C7/12;G11C8/10 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 梁永 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用来判断存储单元状态的检测电路，包括灵敏放大器。灵敏放大器包括不均衡交叉耦合锁存器、其沟道耦合到位线BL与第一输出节点之间的第一栅极FET以及其沟道耦合到BLB与第二输出节点之间的第二栅极FET。不均衡交叉耦合锁存器被包括位于第一输出节点与连接到电接地的使能FET之间的第一下拉FET，以及位于第二输出节点与使能FET之间的第二下拉FET。第二下拉FET与第二栅极FET的沟道宽度大于第一下拉FET的沟道宽度与第一栅极FET的沟道宽度，从而增强对连接到灵敏放大器的存储单元中保存的1和0的检测能力。 | ||
| 搜索关键词： | 不对称 灵敏 放大器 | ||
【主权项】：
一种灵敏放大器，包括：耦合到位线BL和反位线BLB上的不均衡交叉耦合锁存器ICL，所述不均衡交叉耦合锁存器被配置用于在所述位线上的值与所述反位线BLB上的值之间的差值超过阈值时输出逻辑低值，以及在所述差值不超过所述阈值时输出逻辑高值，所述不均衡交叉耦合锁存器包括：第一下拉场效应晶体管FET，所述第一下拉FET的沟道通过使能FET的沟道耦合在第一输出节点与电接地之间，以及第二下拉场效应晶体管FET，所述第二下拉FET的沟道通过所述使能FET的沟道耦合在第二输出节点与电接地之间；第一栅极FET，所述第一栅极FET的沟道耦合在所述BL与所述第一输出节点之间；以及第二栅极FET，所述第二栅极FET的沟道耦合在所述BLB与所述第二输出节点之间；其中所述第一下拉FET的栅极端耦合到所述第二输出节点上；其中所述第二下拉FET的栅极端耦合到所述第一输出节点上；其中所述第二下拉FET的沟道宽度大于所述第一下拉FET的沟道宽度；以及其中所述第二栅极FET的沟道宽度大于所述第一栅极FET的沟道宽度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910177850.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于SRAM的写操作中的灵敏放大器
- 下一篇：图像形成设备
