[发明专利]CMOS有源像素传感器共享的放大器像素无效
| 申请号： | 200910178007.1 | 申请日： | 2006-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN101661947A | 公开（公告）日： | 2010-03-03 |
| 发明（设计）人： | R·M·圭达什;R·姆鲁蒂昂亚亚;W·徐 | 申请（专利权）人： | 伊斯曼柯达公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王小衡;蒋 骏 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种图像传感器，包括单位晶格，所述单位晶格具有多个像素；所述单位晶格包括：放大器输入晶体管，被多个像素共享；多个浮动扩散，被浮动扩散互连层接合，并且被连接到放大器输入晶体管；和互连层，形成输出信号线，所述输出信号线屏蔽所述浮动扩散互连层。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 有源 像素 传感器 共享 放大器 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器，包括：单位单元，所述单位单元具有多个像素，每个像素都包括光电探测器和传输门；所述单位单元包括：(a)多个浮动扩散，被浮动扩散互连层接合，其中在浮动扩散区中没有使用额外的P阱注入并且所述多个浮动扩散具有n型源极漏极注入，并且其中n型注入包围所述n型源极漏极注入以用于减小结电容。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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