[发明专利]在电可擦和可编程的非易失性存储器中写入和读取数据的方法有效
| 申请号： | 200910178149.8 | 申请日： | 2009-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN101727978A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 马可·比尔詹;尤尔根·包勒 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司;意法半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 贺小明 |
| 地址： | 德国格拉斯布鲁*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明提供一种在包含目标页面的要写入和读取数据的主非易失性存储器(MM)中写入和读取数据的方法，该方法包含：提供具有擦除区的非易失性缓存(NVB)；提供易失性高速缓冲存储器(CM)，接收写入命令，该写入命令旨在用长度小于页面长度的更新数据更新目标页面。该方法还包含，对写入命令作出响应：将更新数据连同第一类型的管理数据写入非易失性缓存的擦除区；并且在高速缓冲存储器中记录目标页面的更新版本或者在高速缓冲存储器中更新目标页面之前的更新版本。 | ||
| 搜索关键词： | 电可擦 可编程 非易失性存储器 写入 读取 数据 方法 | ||
【主权项】：
一种在包含目标页面(Pi，P1-P3)的要写入和读取数据的主非易失性存储器(MM)中写入和读取数据的方法，其特征在于，该方法包含：-提供具有擦除区的非易失性缓存(NVB)，-提供易失性高速缓冲存储器(CM)，-接收(S01)写入命令(WR)，该写入命令旨在用更新数据([W4′])更新目标页面(P3)，其中更新数据的长度可以小于页面的长度，并且对写入命令作出响应：-将更新数据([W4′])连同第一类型的管理数据(MD1)写入(S11-S12)非易失性缓存的擦除区，以及-在高速缓冲存储器中记录目标页面的更新版本或者在高速缓冲存储器中更新目标页面之前的更新版本。
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