[发明专利]发光元件无效
| 申请号： | 200910178220.2 | 申请日： | 2009-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN101714595A | 公开（公告）日： | 2010-05-26 |
| 发明（设计）人： | 饭塚和幸;新井优洋 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种发光元件包括半导体层压结构、在所述半导体层压结构的一侧表面上的第一电极、在所述半导体层压结构的另一侧表面上用于反射由活性层发出的光的导电反射层、在所述半导体层压结构和所述导电反射层之间局部形成的且与所述半导体层压结构欧姆接触的接触部、以及在所述半导体层压结构上的导电反射层的部分表面上未与所述的半导体层压结构接触的且用于向接触部供给电流的第二电极，所述半导体层压结构包括第一导电型的第一半导体层、不同于第一导电型的第二导电型的第二半导体层以及夹在第一和第二半导体层之间的活性层。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 | ||
【主权项】：
一种发光元件，包括：半导体层压结构，包括第一导电型的第一半导体层、不同于所述第一导电型的第二导电型的第二半导体层以及夹在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的活性层；在所述半导体层压结构的一侧表面上的第一电极；在所述半导体层压结构的另一侧表面上用于反射由所述活性层发出的光的导电反射层；在所述半导体层压结构和所述导电反射层之间局部形成的且与该半导体层压结构欧姆接触的接触部；以及在所述半导体层压结构上的所述导电反射层的部分表面上未与所述半导体层压结构接触的第二电极，用于通过所述导电反射层向所述接触部供给电流。
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