[发明专利]具有增强的背面照明量子效率的图像传感器有效
申请号: | 200910178474.4 | 申请日: | 2009-10-10 |
公开(公告)号: | CN102074563A | 公开(公告)日: | 2011-05-25 |
发明(设计)人: | 廖英凯;刘汉琦;刘源鸿;杨敦年;刘人诚 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/82;H01L21/316 |
代理公司: | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人: | 梁永 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了一种图像感测的系统和方法。一个实施例包括具有像素区域和逻辑区域的衬底。第一抗氧化保护层(RPO)形成在像素区域的上方,但是不在逻辑区域的上方。硅化物接触件形成在像素区域中形成的有源器件的顶部上,但是不在像素区域中的衬底的表面上,并且硅化物接触件形成在有源器件的顶部上和逻辑区域中的衬底的表面上。第二RPO形成在像素区域和逻辑区域的上方,接触蚀刻阻挡层形成在第二RPO的上方。当光从衬底的背面入射到传感器时,这些层有助于将光反射回图像传感器,也有助于防止过蚀刻产生的损害。 | ||
搜索关键词: | 具有 增强 背面 照明 量子 效率 图像传感器 | ||
【主权项】:
一种背面照明图像传感器,包括:衬底,具有像素区域和逻辑区域,所述衬底包括第一侧和与所述第一侧相对的第二侧;第一有源器件,在所述像素区域中,其中所述第一有源器件至少部分地放置在所述衬底的第一侧上,所述第一有源器件包括被放置用来从所述衬底的第二侧接收光的感光元件;第二有源器件,所述逻辑区域中,至少部分地放置在所述衬底的第一侧上;第一保护层,位于所述像素区域中的所述衬底的第一侧上方,其中,所述逻辑区域不具有所述第一保护层;第二保护层,位于所述像素区域中的所述第一保护层和逻辑区域上方;以及接触蚀刻阻挡层,位于所述第二保护层上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的