[发明专利]制造铌和钽粉末的方法有效
| 申请号： | 200910178531.9 | 申请日： | 2005-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN101774018A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | H·哈斯;U·巴特曼;古目谷忠;佐藤延介 | 申请（专利权）人： | H.C.施塔克股份有限公司;H.C.斯塔克株式会社 |
| 主分类号： | B22F1/00 | 分类号： | B22F1/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 周铁;李连涛 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及制造铌和钽粉末的方法。本发明涉及通过借助于气态还原金属和/或其氢化物，优选地在有惰性载体气体存在的情况下，还原相应的电子管金属氧化物粉末来制造电子管金属粉末特别是铌和钽粉末的方法，其中还原是在5-110hPa的还原金属/金属氢化物蒸气分压和小于1000hPa的总压力下进行的，本发明还涉及可以通过这种方法制造的具有高粉末附聚体颗粒稳定性的钽粉末。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 粉末 方法 | ||
【主权项】：
比表面积为0.9-6m2/g的钽粉末，其附聚体稳定性值D50/D50US小于2，其中D50值按照ASTM B 822测定，D50US值在超声波处理后测定。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于H.C.施塔克股份有限公司;H.C.斯塔克株式会社，未经H.C.施塔克股份有限公司;H.C.斯塔克株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910178531.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
