[发明专利]图像传感器和用于制造图像传感器的方法无效
申请号: | 200910178567.7 | 申请日: | 2009-09-29 |
公开(公告)号: | CN101715076A | 公开(公告)日: | 2010-05-26 |
发明(设计)人: | 黄俊 | 申请(专利权)人: | 东部高科股份有限公司 |
主分类号: | H04N5/335 | 分类号: | H04N5/335;H04N3/15;H01L27/146;H01L21/82 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 潘士霖;陈炜 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 公开了图像传感器和用于制造图像传感器的方法。提供一种图像传感器,该图像传感器包括读出电路、层间电介质、互连连接、图像传感装置、离子注入区、接触和像素分离层。读出电路被布置在第一衬底上。层间电介质被布置在第一衬底上。互连连接被布置在层间电介质中,并被电连接到读出电路。图像传感装置被布置在互连连接上,并且包括第一导电型的层和第二导电型的层。接触将图像传感装置的第一导电型的层与互连连接电连接。在第二导电型的层中在与接触相对应的区域处形成离子注入区。在图像传感装置的像素边界处布置像素分离层。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 用于 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种图像传感器,包括:在第一衬底处的读出电路;在所述第一衬底上的层间电介质;在所述层间电介质中的互连连接,所述互连连接电连接到所述读出电路;在所述互连连接上的图像传感装置,所述图像传感装置包括第一导电型的层和第二导电型的层;将所述图像传感装置的所述第一导电型的层与所述互连连接电连接的接触;在所述第二导电型的层中的离子注入区;以及在所述图像传感装置的像素边界处的像素分离层。
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