[发明专利]横向DMOS晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200910178836.X | 申请日： | 2009-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN101714577A | 公开（公告）日： | 2010-05-26 |
| 发明（设计）人： | 李相容 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京博浩百睿知识产权代理有限责任公司 11134 | 代理人： | 宋子良;张奇巧 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的是提供一种LDMOS晶体管及其制造方法，可以提高LDMOS晶体管的漏极-源极之间的阻抗。LDMOS晶体管包括：P型本体区，形成在N阱中；源极区和源极接触区，形成在P型本体区中；漏极区，形成在与P型本体区隔开一定距离处；LOCOS，形成在P型本体区和漏极区之间的N阱的表面上；主栅电极，形成在LOCOS和N阱上；以及辅栅电极，形成在源极区和源极接触区之间。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 dmos 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种LDMOS晶体管，包括：P型本体区，形成在N阱中；源极区和源极接触区，形成在所述P型本体区中；漏极区，形成为与所述P型本体区隔开一个距离；LOCOS，形成在所述P型本体区和所述漏极区之间的所述N阱的表面上；主栅电极，形成在所述LOCOS和所述N阱上；以及辅栅电极，形成在所述源极区和所述源极接触区之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东部高科股份有限公司，未经东部高科股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910178836.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：为无线紧急呼叫提供网络支持的方法和设备
- 下一篇：话筒线的防纽绞装置
- 同类专利
- 专利分类
