[发明专利]图像传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 200910178876.4 | 申请日： | 2009-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN101715079A | 公开（公告）日： | 2010-05-26 |
| 发明（设计）人： | 李汉春;郑伍珍 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/335 | 分类号： | H04N5/335;H04N3/15;H01L27/146;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京博浩百睿知识产权代理有限责任公司 11134 | 代理人： | 宋子良;李占平 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括：设置在半导体衬底上的读出电路；设置有金属线的层间介电膜，该层间介电膜设置在半导体衬底上；设置在层间介电膜上的下部电极，该下部电极被连接到金属线；设置在下部电极上的第一类型导电层图样；设置在半导体衬底上的整个表面上方的本征层，以使该本征层覆盖第一类型导电层图样；以及设置在本征层上的第二类型导电层。根据该方法，将n型非晶硅层图样化并利用N2O等离子体处理以修复图样化的n型非晶硅层，从而去除在界面上的产生缺陷的材料并有利于提高工艺稳定性和产量。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种图像传感器，包括：读出电路，设置在半导体衬底上；设置有金属线的层间介电膜，所述层间介电膜设置在所述半导体衬底上；下部电极，设置在所述层间介电膜上，所述下部电极连接至所述金属线；第一类型导电层图样，设置在所述下部电极上；本征层，设置在所述半导体衬底上的整个表面的上方，以使所述本征层覆盖所述第一类型导电层图样；以及第二类型导电层，设置在所述本征层上。
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