[发明专利]垂直型半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种垂直型半导体器件及其制造方法。该垂直型半导体器件包括：半导体衬底，该半导体衬底具有单元区和外围电路区；字线结构，该字线结构位于半导体衬底的单元区上，字线结构包括堆叠在彼此顶部的多条字线；半导体结构，该半导体结构穿过字线结构；栅电介质，该栅电介质位于字线结构和半导体结构之间；以及虚拟字线结构，该虚拟字线结构位于外围电路区上，虚拟字线结构具有垂直结构，并且包括与字线结构相同的组件。

主权项

一种垂直型半导体器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有单元区和外围电路区；字线结构，所述字线结构位于所述半导体衬底的所述单元区上，所述字线结构包括堆叠在彼此顶部的多条字线；半导体结构，所述半导体结构穿过所述字线结构；栅电介质，所述栅电介质位于所述字线结构和所述半导体结构之间；以及虚拟字线结构，所述虚拟字线结构位于所述外围电路区上，所述虚拟字线结构具有垂直结构，并且包括与所述字线结构相同的组件。