[发明专利]非易失性存储设备及其编程方法和预充电电压提升方法有效
| 申请号： | 200910179289.7 | 申请日： | 2009-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN101727986A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 权五锡;崔奇焕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/06;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种根据本发明的对非易失性存储设备编程的方法包括：根据载入页缓冲区中的数据对位线预充电；将预充电的位线分别电连接到与所述位线对应的沟道，以便对沟道充电；以及在对沟道充电之后施加用于编程的字线电压。根据载入相邻页缓冲区中的数据来确定所述沟道中每个沟道的沟道电压提升。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 设备 及其 编程 方法 充电 电压 提升 | ||
【主权项】：
一种对非易失性存储设备编程的方法，包括：根据载入页缓冲区中的数据对位线预充电；通过将预充电的位线分别电连接到与所述位线对应的沟道来对沟道充电；以及在对沟道充电之后施加用于编程的字线电压，其中，根据载入相邻页缓冲区中的数据来确定所述沟道中每个沟道的沟道电压提升。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910179289.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：分级燃烧系统及方法
- 下一篇：操作半导体装置的方法
