[发明专利]ⅢA族氮化物半导体复合基板、ⅢA族氮化物半导体基板和ⅢA族氮化物半导体复合基板的制造方法无效
| 申请号： | 200910179450.0 | 申请日： | 2009-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN101853816A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 吉田丈洋 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L21/02;C30B29/38;B32B9/04 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够抑制贴合界面的空隙等发生的IIIA族氮化物半导体复合基板、IIIA族氮化物半导体基板和IIIA族氮化物半导体复合基板的制造方法。本发明涉及的IIIA族氮化物半导体复合基板包括由具有导电性且熔点为1100℃以上的导电性材料形成的基材(10)、设置在基材(10)上的IIIA族氮化物层(20)和设置在IIIA族氮化物层(20)上的IIIA族氮化物单晶膜(30)，IIIA族氮化物层(20)在IIIA族氮化物层(20)的与IIIA族氮化物单晶膜(30)相接的面上，具有由凹凸形成的波纹，该波纹的0.1(/μm)以上但小于1(/μm)的空间波长区域内的一元功率谱密度为小于500nm3。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 复合 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种IIIA族氮化物半导体复合基板，其特征在于，包括：由熔点为1100℃以上的导电性材料形成的基材，设置在所述基材上的IIIA族氮化物层，设置在所述IIIA族氮化物层上的IIIA族氮化物单晶膜；所述IIIA族氮化物层在所述IIIA族氮化物层的与所述IIIA族氮化物单晶膜相接的面上，具有由周期性的凹凸形成的波纹，该波纹的0.1(/μm)以上但小于1(/μm)的空间波长区域内的一元功率谱密度为小于500nm3。
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