[发明专利]信息存储元件及其信息读写方法无效
| 申请号： | 200910179480.1 | 申请日： | 2009-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN101727966A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 大森広之 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/14 | 分类号： | G11C11/14;H01L43/08;H01L27/22 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 杜娟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及信息存储元件及其信息读写方法。一种信息存储元件，包括：带状铁磁性材料层；布置在铁磁性材料层的第一端处的第一电极；以及布置在铁磁性材料层的第二端处的第二电极；其中通过在第一电极与第二电极之间施加电流来产生电流感生磁畴壁运动，在铁磁性材料层中，磁化状态被写入磁化区中作为信息或者磁化状态从磁化区被读取作为信息，各磁化区中的磁化方向平行于铁磁性材料层的厚度的方向；以及在读写信息时，在铁磁性材料层中产生从铁磁性材料层的第二端到其第一端单调降低的温度分布。 | ||
| 搜索关键词： | 信息 存储 元件 及其 读写 方法 | ||
【主权项】：
一种信息存储元件，包括：带状铁磁性材料层；布置在所述铁磁性材料层的第一端处的第一电极；以及布置在所述铁磁性材料层的第二端处的第二电极；其中通过在所述第一电极与所述第二电极之间施加电流来产生电流感生磁畴壁运动，在所述铁磁性材料层中，磁化状态作为信息被写入磁化区中或者磁化状态作为信息从磁化区被读取，各磁化区中的磁化方向平行于所述铁磁性材料层的厚度的方向；以及在写入信息或读取信息时，在所述铁磁性材料层中产生从所述铁磁性材料层的第二端到其第一端单调降低的温度分布。
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